特許

J-GLOBAL ID：200903027898387799

半導体回折格子およびその製造方法

発明者： 小川 正道
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021955
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199805
出願日： 1996年01月13日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の主面とほぼ垂直方向に微細な周期構造を有する半導体回折格子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に交互に積層された互いに幅の異なるn型GaAs膜2およびp型GaAs膜3により半導体回折格子を構成する。この半導体回折格子を製造するには、半導体基板1上にn型GaAs膜2およびp型GaAs膜3を交互に積層し、この多層膜を所定形状にパターニングした後、燐酸と過酸化水素と純水との混合液をエッチャントに用いたウエットエッチング法によりエッチングする。他の例では、半導体基板1上に交互に積層された互いに幅の異なるGaAs膜5およびAlGaAs膜6により半導体回折格子を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられ、上記半導体基板の主面とほぼ垂直方向に周期構造を有することを特徴とする半導体回折格子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/15

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 C ,  H01L 21/306 B