特許
J-GLOBAL ID：200903027898760040
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340233
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181098
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体キャリアと半導体素子との接合時に逆マウントを防止する。【解決手段】 平面形状が略正方形状の半導体キャリア4の左上、右上、右下に位置認識のための認識マーク12a,12b,12cが形成されており、プリント基板等への実装の際には、省時間化のため対角線上の認識マーク12a,12cの2点認識によって上下左右の位置認識を行ない、実装する。これら認識マーク12a,12cのうち、認識マーク12aを認識マーク12cと形状が異なり、認識マーク12cよりも大きい円形のマークとしており、プリント基板等へ実装する際、半導体キャリア4の方向を180度間違えてセットした場合でも、認識装置は確実に180度方向が逆になっていることを認識するので、逆マウントを防止することができる。
請求項（抜粋）：
上面に複数の電極と、前記電極を引き回す配線パターンと、底面に配列され、上面の電極と導通した外部電極端子とを有した半導体キャリア、前記半導体キャリア上面にバンプ電極を介して接合された半導体素子、ならびに前記半導体素子および半導体キャリアの間の間隙を封止している樹脂からなり、前記半導体キャリアが少なくとも二つの認識マークを有し、前記認識マークのうちの一つが他の認識マークと異なる形状であることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/52 C
, H01L 21/52 A
