特許

J-GLOBAL ID：200903027906925045

半導体ウエハのレーザマーキング方法

発明者： 松村 幸紀 ,  杉本 幸彦 ,  堀 弘太郎
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059890
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260675
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】レーザマーキング時に発生する溶融飛沫がウエハ表面に付着することを防止すると共に、半導体装置の製造工程において多様な処理と多段階で施されるマーキングを経たのちにも、常にドットマークの形態を安定に保持して視認性を確保するレーザ光による半導体ウエハのドットマーキング方法を提供するにある。【解決手段】半導体ウエハ本体(w) の少なくともドットマーク(M) の形成領域に透明薄膜(F) を形成し、予め選定された波長を有するレーザ光(L) を前記透明薄膜(F) の上から前記ドットマークの形成領域に照射して、前記透明薄膜(F) を透過する前記レーザ光(L) により前記ウエハ本体を溶融変形させてドットマークを形成すると同時に、前記ウエハ本体(w) の溶融時の発熱を利用して同透明薄膜(F) の破壊を伴うことなく前記ドットマーク(M) の変形に追随して同透明薄膜(F) を同様の形態に変形させる。

請求項（抜粋）：

レーザ光を照射することにより半導体ウエハにドットマークを付与する方法であって、前記半導体ウエハ本体の少なくともドットマークの形成領域に透明薄膜を形成すること、予め選定された波長を有するレーザ光を前記透明薄膜の上から前記ドットマークの形成領域に照射すること、前記透明薄膜を透過する前記レーザ光により前記ウエハ本体を溶融変形させてドットマークを形成すること、及び前記ウエハ本体の溶融時の発熱を利用し、同透明薄膜の破壊を伴うことなく前記ドットマークの変形に追随して同透明薄膜を同様の形態に変形させること、を含んでなることを特徴とする半導体ウエハのレーザマーキング方法。