特許
J-GLOBAL ID：200903027909158304
レーザアニール方法およびレーザアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小野寺 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022461
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217213
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 時間変調され、かつ細長い形状に整形された連続発振レーザ光を基板を回転することなく高速に走査して半導体膜のアニールを行う。【解決手段】 変調器7によって時間変調され、ビーム整形器10により細長い形状に整形されたレーザ光をビーム整形器と基板の間に挿入されたイメージローテータ13の光軸中心での回転で基板15上で細長い形状のレーザ光の長手方向を光軸の周りに回転させる。基板ン15上の複数の方向にアニールする場合には、細長い形状に整形されたレーザ光を基板上で回転させ、基板を載置したステージはXY2方向のみに移動する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を載置して直交する2方向に移動するためのステージと、レーザ光を発振するレーザ発振器と、前記レーザ光を細長い形状に整形するビーム整形器と、前記細長い形状に整形されたレーザ光を前記ステージ上に載置した前記基板上に投影する位置関係に配置された結像レンズで構成され、
前記細長い形状に整形された前記レーザ光を該レーザ光の光軸の周りに回転する手段を備えたことを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F052AA02
, 5F052BA01
, 5F052BA07
, 5F052BA12
, 5F052BA18
, 5F052BB01
, 5F052BB02
, 5F052BB07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052JA01
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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