特許

J-GLOBAL ID：200903027915009485

半導体装置及びその実装構造

発明者： 川原 登志実 ,  諏訪 守 ,  小野寺 正徳 ,  門間 修一 ,  中世古 進也 ,  穂積 孝司 ,  米田 義之 ,  埜本 隆司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-329105
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163204
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】本発明は高密度化された外部接続電極を有した半導体装置及びその実装構造に関し、小型化及び多ピン化を図ることを課題とする。【解決手段】半導体素子11と、この半導体素子を封止する樹脂パッケージ12と、この樹脂パッケージ12の実装側面に突出形成された樹脂突起17と、この樹脂突起17に配設された金属膜13と、半導体素子11上の電極パッド14と金属膜13とを接続するワイヤ18とを具備してなる半導体装置において、前記金属膜13に略水平方向に延出する接続パッド19Aを形成し、この接続パッド19Aにワイヤ18を接続する構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子を封止する樹脂パッケージと、該樹脂パッケージの実装側面に突出形成された樹脂突起と、該樹脂突起に配設された複数の金属膜と、前記半導体素子上の電極パッドと前記金属膜とを電気的に接続する接続部材とを具備してなる半導体装置にあって、前記金属膜に略水平方向に延出する接続パッドを形成し、該接続パッドに前記接続部材を接続する構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H05K 1/18

FI (5件)：

H01L 23/12 K ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/28 J ,  H05K 1/18 K ,  H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-017550   出願人：富士通株式会社