特許
J-GLOBAL ID：200903027920231730
シリコン及びシリコン化合物の選択エッチングを含む集積回路作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243422
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224176
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 シリコン酸化物に対するシリコン窒化物とシリコンの両方の高いエッチング選択性が、リン酸、フッ酸及び硝酸のエッチング槽を用いることにより、得られる。【構成】 本発明はシリコン窒化物又はシリコンで、シリコン酸化物上に配置された少なくとも1つの材料の層を有する構造をリン酸、フッ酸及び硝酸を有する湿式槽中でエッチングする集積回路作成方法に関する。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化物表面を形成する工程、前記表面上に構造を形成し、前記構造がシリコン及びシリコン窒化物から成るグループから選択された少くとも1つを含む材料の少くとも1つの層を含む工程及びリン酸、フッ酸及び硝酸を含むエッチング槽中で、エッチングすることにより、前記構造を除去する工程よりなる半導体集積回路作製の方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, C01B 33/00
, C23F 1/24
