特許
J-GLOBAL ID：200903027922471100
光起電力素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314720
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150282
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 短波長の感度を向上し、またタンデムセルにした場合の光劣化を抑制することにより光起電力素子の変換効率および安定性を向上する。【解決手段】 基板上102に、少なくとも下部電極103、pn接合120、第1の透明導電層106、第1のpin接合121、第2の透明導電層110が順次形成された光起電力素子であって、pn接合120はカルコパイライト系化合物からなる第1の半導体層104と、CdS、ZnSe、ZnO又はZnSからなる第2の半導体層105により構成され、第1のpin接合121は第1の導電性を示す水素含有の非単結晶シリコン系材料からなる第1のドープ層107、ほぼイントリンジックな導電性を有し水素を含有する微結晶シリコン系材料からなる第1のi層108、第1の導電性とは異なる第2の導電性を示す水素含有の非単結晶シリコン系材料からなる第2のドープ層109により構成されている光起電力素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも下部電極、pn接合、第1の透明導電層、第1のpin接合、第2の透明導電層が順次形成された光起電力素子であって、pn接合は化学式CuXY2(Xはインジウム(In)、ガリウム(Ga)、Yはセレン(Se)、硫黄(S))で表されるカルコパイライト系化合物{CuInxGa1-x(SeyS1-y)2、(0≦x≦1,0≦y≦1)}からなる第1の半導体層と、硫化カドミウム(CdS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、酸化亜鉛(ZnO)又は硫化亜鉛(ZnS)からなる第2の半導体層により構成され、第1のpin接合は第1の導電性を示す水素含有の非単結晶シリコン系材料からなる第1のドープ層、ほぼイントリンジックな導電性を有し水素を含有する微結晶シリコン系材料からなる第1のi層、第1の導電性とは異なる第2の導電性を示す水素含有の非単結晶シリコン系材料からなる第2のドープ層により構成されていることを特徴とする光起電力素子。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 31/04 W
, H01L 21/205
, H01L 31/04 E
, H01L 31/04 A
