半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230464
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058826
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】本発明はバンド間電流を減らしてゲート・ドレイン間の電界の緩和をすることを課題とする。【解決手段】p 型のシリコン基板11と、このシリコン基板11上にゲート絶縁膜12を介して成されたゲート電極14と、このゲート電極14の側壁に設けられたポリスぺーサ17a、このポリスぺーサ17aの側壁に設けられた絶縁スぺーサ19と、前記基板11の表面に前記ゲート電極14と自己整合的に形成されたn型の拡散層15a、15bと、前記半導体基板の表面に前記ゲート電極、導電性部材及び絶縁物と自己整合的に形成されたn型の16a、16bと、ポリスぺーサ17a 、絶縁スぺーサ19と基板11間の厚い酸化膜23とを具備することを特徴とするLDD構造のMOS型トランジスタ。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に設けられた絶縁膜と、前記半導体基板上に前記絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体基板上でかつ前記ゲート電極の側壁に設けられた導電性部材と、前記半導体基板上でかつ前記導電性部材の側壁に設けられた絶縁物と、前記半導体基板の表面に前記ゲート電極と自己整合的に形成された第2導電型の低濃度領域と、前記半導体基板の表面に前記ゲート電極、導電性部材及び絶縁物と自己整合的に形成された第2導電型の高濃度領域とを具備し、前記ゲート電極下部以外の前記絶縁膜がゲート電極下部の前記絶縁膜と比べて厚くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 L

Fターム (16件)：

5F040DA02 , 5F040DA17 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EC19 , 5F040EF01 , 5F040EF02 , 5F040FA03 , 5F040FA07 , 5F040FA08 , 5F040FA11 , 5F040FA18 , 5F040FA19 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC02

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