基板処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294258
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】化学増幅レジストの反応時間を精度よくコントロールでき、また、レジストの化学反応が阻害されないようにした基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理装置は、カセットCに対して基板Wを搬入・搬出するインデクサユニット10と、基板Wに所要の処理を施すプロセスユニット20と、露光装置200との間で基板の受け渡しを仲介するインターフェイスユニット30を備える。露光装置200で露光された基板Wは、インターフェイスユニット30内のエッジ露光部50でエッジ露光された後、熱処理部40で加熱・冷却されることにより、レジスト膜の化学反応が完結される。また、アドヒージョン処理部12をインデクサユニット10に設けることにより、アドヒージョン処理部12で発生したガスがレジスト膜の化学反応に悪影響を及ぼさないようにしている。

請求項（抜粋）：

基板を多段に収納するカセットに対して基板を搬入・搬出するインデクサユニットと、前記インデクサユニットに連ねて設けられ、露光後の基板を現像する現像処理部を少なくとも備えたプロセスユニットと、前記プロセスユニットに連ねて設けられ、前記プロセスユニットと露光装置との間の基板の受け渡しを仲介するインターフェイスユニットとを備えた基板処理装置において、前記インターフェイスユニットに、露光された基板を加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を冷却する冷却手段と、基板の周縁部を露光するエッジ露光手段とを配備したことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/30 569 D , H01L 21/68 A , H01L 21/30 577

引用特許：

出願人引用 (5件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-173302 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
搬送装置及び搬送方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040592 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-212857 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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