特許

J-GLOBAL ID：200903027932739861

半導体製造装置

発明者： 黒田 武
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301164
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118803
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 高温短時間熱処理するRTP装置において、ウエハ表面のガスの流れを均一にして、これを用いて製造した半導体装置のシート抵抗値、トランジスタのしきい値、K値等、諸特性の面内ばらつきをおさえること。【解決手段】 半導体ウエハ表面の上部(中央部)にあたる石英チューブ部分にガス導入口を設けるとともに、石英チューブ上面が傾斜をもったRTP装置とした。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ表面に対向する位置にガス導入口が配置されていることを特徴とするRTP(Rapid Thermal Processing)装置。

IPC (2件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/26 G

Fターム (7件)：

5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EC01 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF14