特許

J-GLOBAL ID：200903027936412255

半導体装置とその製造方法

発明者： 鶴田 興規
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-386904
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190514
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 保護酸化膜をエッチングする際に、トレンチ上端部のシリコン酸化膜が過度にエッチングされることを防止する。【解決手段】 トレンチ分離法による半導体装置の製造過程において、半導体基板1の表面を覆った保護酸化膜2をエッチング除去する際、トレンチ(溝)4に埋設されたシリコン酸化膜6におけるトレンチ4の周部上端部におけるエッチングによる過度の除去を、トレンチ4の周部上端部分に残留させたLOCOS酸化膜8によって阻止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された素子分離のための溝にCVD酸化膜が埋め込まれた構成の半導体装置であって、前記溝における周部上端部にLOCOS酸化膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

Fターム (10件)：

5F032AA34 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032BA01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25