不揮発性半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116903
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115987
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】チップ面積を増加させることなくソース線を低抵抗化してソース線の浮きを低減し、その結果ランダムアクセスを高速化し得るEEPROMを提供すること。【構成】複数個の不揮発性メモリセルを直列接続したNANDセルと、このNANDセルの一端側及び他端側をそれぞれ共通信号線と導通させる複数個の選択MOSトランジスタと、から構成されるNANDセルユニットがマトリクス配置されたメモリセルアレイを有するNANDセル型EEPROMにおいて、NANDセルユニットの一端側が、ワード線を共有する複数のセルユニット同士でコンタクトを共有して第1の共通信号線に接続され、該セルユニットの他端側は、ワード線を共有しかつ該セルユニットの一端側とコンタクトを共有しないセルユニットとコンタクトを共有して第2の共通信号線に接続されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

1個又は複数個の不揮発性メモリセルから構成されるメモリセル部と、このメモリセル部を共通信号線と導通させる1個又は複数個の選択MOSトランジスタと、から構成されるメモリセルユニットがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルユニットの一端側は、ワード線を共有する複数のメモリセルユニット同士でコンタクトを共有して第1の共通信号線に接続され、該メモリセルユニットの他端側は、ワード線を共有する複数のメモリセルユニット同士でコンタクトを共有して第2の共通信号線に接続されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-074069
特開平2-177199
特開平2-083971

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審査官引用 (8件)

特開平2-074069
特開平2-074069
特開平2-074069

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