特許

J-GLOBAL ID：200903027939584570

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐原 隆一 ,  中村 嘉文 ,  下石坂 望 ,  隈川 隆博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-025316
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224924
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の放熱性を改善し、材料コストと工数とを削減する。【解決手段】 半導体チップ10の表面に、電極11を露出させた開口部を有する絶縁性樹脂層20と、電極11から絶縁性樹脂層20上へ延伸し各々Cuからなる金属薄膜層と金属膜とから構成される金属配線30とを備え、半導体チップ10の裏面に、金属薄膜層と同時に形成された放熱層31Aとを備える。半導体チップ10の裏面において、放熱フィンを接着することに代えて、金属配線30を製造する工程において同時に形成された放熱層31Aを介して熱を効率よく放出するので、半導体装置の材料コストと工数とを削減し、かつ、放熱性を改善できる。

請求項（抜粋）：

第1の面及び第2の面を有する半導体チップと、前記第1の面上に形成され少なくとも1種類の金属からなる配線パターンと、前記第2の面上に形成され前記配線パターンを構成する少なくとも1種類の金属を含む放熱層とを備えたことを特徴とする半導体装置。