半導体型圧力センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141338
公開番号（公開出願番号）：特開平8-005485
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】圧力センサのチップ上の端子とアルミニウム導線で接続される内部端子と、外部コネクタと接続される外部端子とを小型化のためにレーザ溶接で接合する場合の溶接強度を高める。【構成】熱伝導率が0.3cal/cm・s・K以下で熱膨脹係数が17.5×10-6〜18.0×10-6/Kの範囲にある銅合金を双方の端子材料として用いる。双方の端子の熱伝導率が大きいときは熱放散がよすぎて溶接面積が小さくなり、一方だけ熱伝導率の小さい材料を用いると、熱膨脹係数の差で溶接欠陥が生じやすい。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上の端子と導線によって接続される内部端子が、端部が容器外に露出する外部端子とレーザ溶接によって結合されるものにおいて、内部端子および外部端子がそれぞれ熱伝導率が0.3cal/cm・sec・K以下で熱膨張係数が17.5×10-6〜18.0×10-6/Kの範囲にある銅合金よりなることを特徴とする半導体型圧力センサ。

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