特許

J-GLOBAL ID：200903027944961284

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 隆史
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274564
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 低電圧における動作が可能で、かつ長寿命を有する高性能半導体装置を得ることができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 ZnSe基板の上に、ZnSe薄膜とZnTe薄膜とを交互に成長させ、それによって、ZnSe基板の上にZnSe/ZnTeの多層薄膜を形成する。上記多層薄膜は、ZnTeが1原子層のみであり、ZnSe薄膜の膜厚が、上の層に進むにつれて徐々に薄くなるように、形成される。形成されたZnSe/ZnTeの多層薄膜の上に金属膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ZnSe基板の上に、ZnSe薄膜とZnTe薄膜とを交互に成長させ、それによって、前記ZnSe基板の上にZnSe/ZnTeの多層薄膜を形成する工程と、前記ZnSe/ZnTeの多層薄膜の上に金属膜を形成する工程とを備え、ZnTe1原子層のみ成長させ、上の層に進むにつれて、前記ZnSe薄膜の膜厚が徐々に薄くなるように、前記多層薄膜を成長させる、半導体装置の製造方法。