特許

J-GLOBAL ID：200903027946749606

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 吉岡 達男 ,  佐野 浩 ,  小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155132
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003887
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜に酸化シリコン薄膜を堆積した場合に膜中に不安定な結合による欠陥等を減少し、ゲート電極とソース・ドレイン電極との間のリーク電流を低減することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板100上に所定の形状に多結晶シリコン薄膜101を形成する工程と、多結晶シリコン薄膜101にゲート絶縁膜102,103を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極104を形成する工程と、ゲート電極上に2層以上からなる層間絶縁膜106,110を形成する工程とを含み、その層間絶縁膜を形成する工程において、少なくとも最上層の層間絶縁膜110を堆積する前に450°C以上650°C以下の温度で水素プラズマ処理する。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に所定の形状に半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上に2層以上からなる層間絶縁膜を形成する工程とを含み、前記2層以上からなる層間絶縁膜を形成する工程において、少なくとも最上層の層間絶縁膜を堆積する前に450°C以上650°C以下の温度で水素プラズマ処理することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 E