特許
J-GLOBAL ID：200903027951702243
半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042422
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237868
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】高信頼,小型でしかも高耐圧,大容量化に適した半導体モジュールを提供する。【解決手段】絶縁基板の上に導電性放熱基板を介して両主面上に内部電極を有するMOS制御型パワー半導体素子と両主面上に内部電極を有するパワーダイオード素子とを搭載し、MOS制御型パワー半導体素子のカソード内部電極と制御内部電極及びパワーダイオード素子のカソード内部電極を接続する共通電極を支持する絶縁ポストを前記導電性放熱基板の上に設ける。【効果】高耐圧のモジュールが得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上に導電性放熱基板を介して両主面上に内部電極を有するMOS制御型パワー半導体素子と両主面上に内部電極を有するパワーダイオード素子とを搭載した半導体モジュールにおいて、前記MOS制御型パワー半導体素子のカソード内部電極と制御内部電極及び前記パワーダイオード素子のカソード内部電極を接続する共通電極を支持する絶縁ポストを前記導電性放熱基板の上に設けたことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
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