特許

J-GLOBAL ID：200903027953221552

化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法

発明者： 川口 健一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297712
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体とその上に形成される化合物膜の間の界面を良好な状態としつつ、良好な化合物膜を短時間で形成する化合物膜の形成方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供することが課題である。【解決手段】 半導体2、3a、3b、4a、4bの表面に該半導体が構成する構成元素と化合してなる化合物を形成させるための雰囲気ガスを晒し、半導体2、3a、3b、4a、4bの表面に化合物薄膜6を形成する工程と、化合物薄膜6上に気相形成法により化合物膜7を形成する工程と、を備える。

請求項（抜粋）：

半導体表面に該半導体が構成する構成元素と化合してなる化合物を形成させるための雰囲気ガスを晒し、前記半導体表面に化合物薄膜を形成する工程と、前記化合物薄膜上に気相形成法により化合物膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする化合物膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 658 F ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 652 T