特許
J-GLOBAL ID：200903027953765773
はんだバンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107375
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299340
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 電気特性の測定に支障のないよう表面が清浄で、プリント配線基板との接続の性能と信頼性が高いはんだバンプの形成方法の実現を課題とする。【解決手段】 半導体素子の電極パッドに高融点はんだバンプ14を形成する工程(a)と、高融点はんだバンプ14に測定用プローブを接触して電気的特性を測定する工程と、高融点はんだバンプ14の側面を包囲するように樹脂8を充填して硬化させる工程(c)と、高融点はんだバンプ14の頂頭部を平坦化する工程(d)とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ウェーハ状態の半導体素子の電極パッド上に、この半導体素子を実装基板に対して電気的に接続し実装するための球状のはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、前記半導体素子の電極パッド上に高融点はんだバンプを形成する高融点はんだバンプ形成工程と、この高融点はんだバンプに測定用プローブ手段を接触して前記半導体素子の電気的特性を測定する電気的特性測定工程と、前記高融点はんだバンプの側面を包囲するように前記高融点はんだバンプ相互間に樹脂を充填し硬化する樹脂充填工程と、前記高融点はんだバンプの頂頭部を平坦化する頂頭部平坦化工程とを有することを特徴とするはんだバンプ形成方法。
FI (4件)：
H01L 21/92 604 C
, H01L 21/92 604 S
, H01L 21/92 604 T
, H01L 21/92 604 A
