エピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土屋勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355507
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163410
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】不純物濃度の安定なエピタキシャル層を形成し、且つ重金属系の汚染を少なくして、特性が均一で且つ優れた半導体装置を形成することができるエピタキシャルウェハを提供する。【構成】 Siウェハ11にAs12及びC13をイオン注入した後、Siウェハ11上にエピタキシャル層14を形成する。Asは拡散係数が小さいので、Siウェハ11からエピタキシャル層14へのAs12の拡散が少なく、しかもAs12のイオン注入によって、Siウェハ11の不純物濃度が均一に近づいている。また、C13はSiウェハ11にゲッタリングサイトを形成する。

請求項（抜粋）：

基板ウェハ上にエピタキシャル層が設けられているエピタキシャルウェハの製造方法において、前記基板ウェハにAs及びCを導入する工程と、前記導入の後に、前記基板ウェハ上に前記エピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 , H01L 27/148

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭62-219636
特開昭61-089623
特表昭61-501948

審査官引用 (3件)

特開昭62-219636
特開昭61-089623
特表2049-501948

前のページに戻る