特許
J-GLOBAL ID：200903027963467681
モノリシックフォトカプラ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292867
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144953
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】光導波路によって伝搬する光を受光素子に効率よく供給する。【解決手段】シリコン島6aには発光ダイオードDが、シリコン島6bにはフォトトランジスタTrが形成されている。基板上において光導波路16が発光ダイオードDとフォトトランジスタTrとを結ぶように延設され、両素子が光学的に結合されている。光導波路16は窒化シリコン膜よりなる。フォトトランジスタTrでの受光部と光導波路16との間に光引き込み層18が介在され、光引き込み層18はGaAs層よりなり、光導波路16よりも高屈折率の材料である。伝搬光が光導波路16よりも高屈折率の光引き込み層18に引き込まれ、フォトトランジスタTrに高効率にて受光される。
請求項（抜粋）：
基板に形成された発光素子と、同じく前記基板に形成された受光素子と、前記基板上において前記発光素子と受光素子とを結ぶように延設され、発光素子と受光素子とを光学的に結合する光導波路とを備えたモノリシックフォトカプラであって、前記受光素子での受光部と前記光導波路との間に、光導波路よりも高屈折率の材料よりなる光引き込み層を設けたことを特徴とするモノリシックフォトカプラ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/12 B
, H01L 27/15 C
