半導体受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273334
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131055
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】40GHz以上の高速応答、かつ高い感度をもつ半導体受光素子を得ること。【構成】入射端側から光吸収層3にかけてテーパー状に形成された導波路構造を有する光結合領域13は入射光を光吸収層に効率よく結合させる。光電変換領域の光吸収層3は入射光の信号方向に対してp型領域3Pi とn- 型領域3Ni が交互になるように構成され、またp型領域3Pi の上はp型領域4Pi 、下は半絶縁性領域2Ii で構成し、n- 型領域3Ni の上は半絶縁性領域4Ii 、下はn型領域2Ni で構成され、素子のpn接合面は光吸収層の断面積のみ、またキャリアの走行距離はn型領域の1/2となるため高速応答が実現できる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板の表面を選択的に被覆する第1のバンドギャップを有する半導体からなり半絶縁性領域と第1導電型領域とが前記表面と平行な方向に交互に配置されてなるバッファ層、前記バッファ層を被覆しこれより小さな第2のバンドギャップを有する半導体からなり前記バッファ層の半絶縁性領域と接触し第1導電型領域とは接触しない第2導電型領域と前記バッファ層の第1導電型領域と接触する第1導電型領域とからなる光吸収層、前記光吸収層より大きな第3のバンドギャップを有する半導体からなり前記光吸収層の第2導電型領域と接触し第1導電型領域とは接触しない第2導電型領域と前記光吸収層の第1導電型領域と接触する半絶縁性領域とからなるコンタクト層、前記バッファ層の第1導電型領域と接触する第1の電極および前記コンタクト層の第2導電型領域と接触する第2の電極を有する光電変換領域と、前記半絶縁性半導体基板の表面を選択的に被覆し前記バッファ層の一端に連結して設けられ前記第2のバンドギャップより大きな第4のバンドギャップを有する第1のクラッド層、前記第1のクラッド層を被覆し前記第4のバンドキャップより小さく前記第2のバンドギャップよりも大きな第5のバンドギャップを有し前記光吸収層の一端に連結して設けられた光透過層および前記光透過層を被覆しこれより大きな第6のバンドギャップを有し前記コンタクト層の一端に連結して設けられた第2のクラッド層を含み、前記光透過層の他端が前記光吸収層と連結する一端より厚くなっている光結合領域とを有することを特徴とする半導体受光素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , H01L 27/14 , H01L 27/15 , H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 J , H01L 31/02 D

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