特許
J-GLOBAL ID:200903027985526436
炭素材料への水素吸蔵方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 欣一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-290764
公開番号(公開出願番号):特開2003-095601
出願日: 2001年09月25日
公開日(公表日): 2003年04月03日
要約:
【要約】【課題】炭素材料に対して水素を吸蔵させるための簡易で実用性の高い方法を提供する。【解決手段】パウダー状グラファイトナノファイバを、約1000°Cのアニール温度で約1時間真空アニール処理を行った後、純水に浸漬した状態にして、おおむね0〜30°C及び1気圧の常温常圧条件下で、超音波発生装置により420KHzの超音波を3時間照射する。
請求項(抜粋):
炭素材料に超音波を照射して該炭素材料に水素を吸蔵させることを特徴とする炭素材料への水素吸蔵方法。
IPC (4件):
C01B 3/00
, B01J 19/10
, B01J 20/20
, H01M 8/06
FI (4件):
C01B 3/00 B
, B01J 19/10
, B01J 20/20 B
, H01M 8/06 R
Fターム (27件):
4G040AA12
, 4G040AA22
, 4G040AA42
, 4G066AA04A
, 4G066AA04B
, 4G066BA01
, 4G066BA21
, 4G066BA31
, 4G066CA38
, 4G066DA01
, 4G066EA20
, 4G066FA11
, 4G066FA22
, 4G075AA03
, 4G075BB04
, 4G075BD14
, 4G075CA23
, 4G075CA62
, 4G075CA63
, 4G075DA18
, 4G075FA20
, 4G075FB03
, 5H027AA02
, 5H027BA13
, 5H027KK01
, 5H027KK41
, 5H027KK51
引用特許:
前のページに戻る