特許

J-GLOBAL ID：200903027987576325

ITO被膜のエッチング方法

発明者： 田中 裕久
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253486
公開番号（公開出願番号）：特開平8-122798
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 TFTのゲート線等を腐食させることなくITO被膜の微細加工を行なうことができ、かつ有機生成物の堆積や膜質変化を生じさせることがない、ITO被膜のエッチング方法を提供する。【構成】 本発明においては、ITO被膜のエッチング用マスクパターンを、塩素系ガスを用いたRIEにおけるエッチングレートがITO被膜のそれより小さく、かつフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより除去可能な金属材料、例えばWSix により形成する。そして、このマスクパターン11を用い塩素系ガスを用いたRIE法によりITO被膜7のドライエッチングを行なった後、残ったWSix マスクパターン11を、フッ素系ガスを用いたCDE法により剥離除去する。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に形成されたITO被膜を、塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングする方法において、マスクパターンを、前記塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチングにおけるエッチングレートが前記ITO被膜のエッチングレートより小さく、かつフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより除去可能な金属材料で構成したことを特徴とするITO被膜のエッチング方法。

IPC (8件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/08

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 29/78 612 D