特許

J-GLOBAL ID：200903027992525372

発光ダイオードアレイチップの製造方法

発明者： 池田 修
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-102771
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314817
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 最端発光部においても発光出力特性が低下することなく、発光素子の高密度集積が可能な発光ダイオードアレイチップを高い歩留りで製造する。【構成】 n型基板10にp型半導体領域からなる複数の発光部を形成する際、チップ端面方向に位置する最端発光部23の近傍でチップの外側に最端発光部23のp型半導体領域よりも深い溝27を形成する。溝27を含みn型基板10の表面に絶縁膜12を設け、複数の発光部を形成した後、溝27の内部に沿ってダイシングし個々のチップに切り出す。【効果】 最端発光部23近傍のチップ端部25が絶縁膜12で覆われているため、最端発光部23近傍のチップ外周部におけるp型半導体領域の形成が防止される。また、ダイシング時に生じる結晶欠陥層19は、溝27によって低くなっており、最端発光部23のp型半導体領域に導通しない。そのため、最端発光部23の発光出力が低下しない。溝27がダイシング時に応力集中箇所として働くため、ダイシング自体も容易になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に逆の伝導特性をもつ複数の発光部を形成する際、チップ端面方向に位置する最端発光部の近傍で前記チップの外側に前記発光部よりも深い溝を形成し、該溝を含む前記n型基板の表面に絶縁膜を設け、前記発光部を形成した後、前記溝の内部に沿ってダイシングすることを特徴とする発光ダイオードアレイチップの製造方法。