特許

J-GLOBAL ID：200903028007160450

半導体装置

発明者： 赤荻 隆男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248023
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103763
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置に関し、電流消費を少なくすると共に外部からの電源電圧を安定に降圧して供給することを目的とする。【構成】 外部からの電源電圧Vccを所定の内部電圧Vciに降圧する電圧降圧手段を具備し、該電圧降圧手段は、前記電源電圧のラインと前記内部電圧の発生ノードNの間に接続されたトランジスタQを有し、該トランジスタのゲートに所定レベルの基準電圧Vssを印加して前記内部電圧発生ノードから前記降圧された内部電圧を取り出すように構成する。

請求項（抜粋）：

外部からの電源電圧(Vcc)を所定の内部電圧(Vci)に降圧する電圧降圧手段を具備し、該電圧降圧手段は、前記電源電圧のラインと前記内部電圧の発生ノード(N)の間に接続されたトランジスタ(Q)を有し、該トランジスタのゲートに所定レベルの基準電圧(Vss;Vcc,Vss)を印加して前記内部電圧発生ノードから前記降圧された内部電圧を取り出すことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G11C 11/407 ,  G11C 16/06 ,  H03K 19/00

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 17/00 309 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-019593
  
• 特開昭64-023548