単結晶成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066906
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255475
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】 DLCZ法による単結晶引き上げ開始前の固体層を、短時間で確実に形成することができる単結晶成長装置を提供すること。【解決手段】石英坩堝1bと、坩堝受皿10の外周部に、グラファイトよりも熱伝導率が低い、例えばカーボン繊維からなる低熱伝導率材11を配設することにより、ヒータから坩堝受皿に伝わる熱量を低減する。低熱伝導率材11の厚みの下限は3mmとする。低熱伝導率材11の高さHは、坩堝受皿10の高さhD の50%以上とする。周方向の熱分布を均一化するために、低熱伝導率材11は坩堝受皿10の全周を覆う方が好ましい。

請求項（抜粋）：

坩堝内に単結晶用原料の固体層と融液層とを共存させた状態で単結晶を引き上げ成長させる単結晶成長装置において、坩堝受皿の周縁部に低熱伝導率材を配設または内包してあることを特徴とする単結晶成長装置。

IPC (3件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502 C , H01L 21/208 P

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