特許
J-GLOBAL ID：200903028008688700
積層型セラミック電子部品およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-336426
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172369
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】バリスタ電圧に影響を与えることなく、エネルギー耐量を確保できる構造の積層型セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミック材料からなる基材部3内に、少なくとも1対の第1の内部電極1と第2の内部電極2とを所定の間隔を隔てて配設し、第1の内部電極1および第2の内部電極2にそれぞれ電気的に接続される第1および第2の外部電極5,6を設けた積層型セラミック電子部品であって、第1の内部電極1と第2の内部電極2との対向面の間ないしその近傍のセラミック材料の全体または一部をバリスタセラミックで形成し、基材部3における他の部分のセラミック材料を、バリスタ部4よりも比誘電率の小さなセラミック材料とした積層型セラミック電子部品。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック材料からなる基材部内に、少なくとも第1の内部電極と第2の内部電極とを所定の間隔を隔てて配設し、前記第1の内部電極および第2の内部電極にそれぞれ電気的に接続される第1および第2の外部電極を設けた積層型セラミック電子部品であって、
前記第1の内部電極と第2の内部電極との対向面の間かその近傍の少なくとも一方のセラミック材料をバリスタセラミックで形成し、前記基材部における他の部分のセラミック材料を、前記バリスタセラミック形成部よりも比誘電率の小さなセラミック材料としたことを特徴とする積層型セラミック電子部品。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5E034CA08
, 5E034CC03
, 5E034DA02
, 5E034DB15
, 5E034DC01
, 5E034DE01
, 5E034DE04
, 5E034DE05
, 5E034DE07
