特許
J-GLOBAL ID：200903028010178824
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-314490
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163830
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】埋込コレクタ層を有するバイポーラトランジスタにおいて、埋込コレクタ層と金属電極間の抵抗値の制御を容易に可能とする。【構成】埋込コレクタ層3と金属電極9の間の接続を多結晶シリコン膜8より成る抵抗体で形成し、この抵抗体の形状を基板に垂直な縦方向の長さよりも基板に水平な横方向の長さの方が長くなるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基体の上表面に形成された第1導電型の埋込コレクタ領域と、前記埋込コレクタ領域上に形成され該埋込コレクタ領域よりも低不純物濃度の第1導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域の上表面から選択的に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成された第1導電型のエミッタ領域とを少くとも有するバイポーラ集積回路装置において、前記埋込コレクタ領域に一端が接続され、他の一端が表面の金属電極に接続され、かつ基板面に垂直な方向の長さが基板面に水平な方向の少くとも一辺より短く形成されて成る抵抗体を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/06
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 27/06 101 D
, H01L 29/72
