化合物半導体素子およびその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上代哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041529
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】高いp層キャリア濃度と急峻なpn接合界面を有し、接合位置の正確な制御が可能な、超階段型GaAs可変容量ダイオードおよびその作製方法を提供する。【構成】 p型層をCドープすることにより高濃度のp型GaAsを得る。その作製方法は、OMVPE法により、p型GaAs層の成長にはV族有機金属原料を用い、n型GaAs層の成長にはV族水素化物原料を用い同時にn型不純物ガスを用いる。または、n型GaAs層を塩化物輸送による気相成長法で成長し、p型GaAs層を有機金属気相成長法で成長しp型ドーパントとして炭素を用いることを特徴とする、GaAsからなる超階段接合を有する可変容量ダイオードの作製方法である。

請求項（抜粋）：