特許
J-GLOBAL ID:200903028028316426

半田付け方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小笠原 史朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-327453
公開番号(公開出願番号):特開平6-152118
出願日: 1992年11月11日
公開日(公表日): 1994年05月31日
要約:
【要約】【目的】 半田による金属の溶触を抑制し得る半田付け方法を提供することである。【構成】 誘電体フィルタにおける誘電体共振器θ1の外導体11は、ベース基板6上の電極および金属製のカバー8の裏面に半田付けされる。この半田付け工程において使用される半田合金7には、本来の組成Pb-Sn以外にベース基板6上の電極およびカバー8を構成する金属と同一の金属が添加されている。これによって、半田合金による金属の溶触が抑制される。
請求項(抜粋):
電子部品に対して半田付けを行う際に、当該電子部品に使用されている金属と同じ金属が添加された半田を用いることを特徴とする、半田付け方法。
IPC (3件):
H05K 3/34 ,  H01P 1/205 ,  H01P 11/00
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭48-021166
  • 特開昭52-003153
  • 特開昭63-070597
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