特許
J-GLOBAL ID：200903028029805510
集電電極並びに該集電電極を用いた光起電力素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261152
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236796
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 上部電極から発電層の最表面に位置するp型半導体層へのキャリア注入を抑制し、開放電圧(VOC)の高い光起電力素子を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、結晶形態が非単結晶であるn型半導体をn、i型半導体をi、及びp型半導体をpとした場合、基体上に、前記n、前記i、前記pの順番に積層したnip接合からなる構造体を少なくとも1つ以上有する発電層を設け、前記発電層の最表面に位置するp層上に上部電極を配設した光起電力素子において、前記発電層の最表面に位置するp層が、前記i層と接合する結晶質を含む第1p層、及び前記上部電極と接合する非晶質からなる第2p層で構成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
導電性接着材からなる被覆層を有する金属ワイヤが、前記被覆層を介して光起電力素子に接着形成されている集電電極において、前記金属ワイヤの金属イオンが、前記光起電力素子の半導体層に拡散しないことを特徴とする集電電極。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 M
