特許

J-GLOBAL ID：200903028033904034

研磨剤

発明者： 後藤 昭一郎 ,  江戸川 勝也 ,  鶴見 徹
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169006
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351882
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】CMP法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる、品質の優れた、半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。【解決手段】比表面積が3〜100m2/gであるセリウムとジルコニウムの複合酸化物粒子を水溶液中に分散させたスラリー液よりなる研磨剤。

請求項（抜粋）：

比表面積が3〜100m2/gであるセリウムとジルコニウムの複合酸化物粒子を水溶液中に分散させたスラリー液よりなる研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (3件)：

H01L 21/304 622 B ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA16 ,  3C058DA17