特許

J-GLOBAL ID：200903028034434848

NiO反強磁性膜の製造方法並びに磁気抵抗効果素子の製造方法とその素子

発明者： 田ノ上 修二
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-129721
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 RFスパッタによる成膜で一枚のターゲットから交換相互作用をもつ薄いNiFe/NiOの2層膜を製造するため、磁気抵抗効果を有するNi基合金ターゲットから直接NiOを製造できる方法の提供。【構成】 Niの含有量が75at%以上の磁気抵抗効果を有する組成からなるNi基合金ターゲットを、酸素を含むArプラズマ中でRFスパッタすると、容易にNiO反強磁性膜を成膜でき、まず、Arプラズマ中でRFスパッタして磁気抵抗効果膜を成膜し、その後同じターゲットを連続して酸素を含むArプラズマ中でRFスパッタして反強磁性NiO膜を成膜する。【効果】 磁気交換相互作用は、NiO膜厚が200Åから500Åで安定に作用し、従来よりはるかに薄膜化できかつバルクハウゼンノイズのないNiFe/NiOの2層構造、あるいはNiFe/Cu/NiFe/NiOの4層構造の磁気抵抗効果型素子を提供できる。

請求項（抜粋）：

Niの含有量が75at%以上の磁気抵抗効果を有するNi基合金ターゲットを、酸素を含むArプラズマ中でRFスパッタして成膜することを特徴とするNiO反強磁性膜の製造方法。

IPC (7件)：

G11B 5/39 ,  C23C 14/34 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/18 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12