特許
J-GLOBAL ID：200903028037122545
オプトエレクトロニク半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267390
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226787
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 コンパクトで製造容易で散乱の生じない溝状ウェーブガイドを有するオプトエレクトロニク半導体装置を提供する。【構成】 ウェーブガイド20を有するオプトエレクトロニク半導体装置であって、この半導体装置は珪素基板1を有する半導体本体10を具え、この珪素基板上に、酸化珪素を有する材料より成り溝3を有する第1層2と、前記の溝の区域で前記のウェーブガイドを形成する放射案内材料の第2層4とがこの順序で設けられている当該オプトエレクトロニク半導体装置において、前記の溝3と前記の第1層2の一部分とを珪素基板1の局部酸化により形成する。
請求項（抜粋）：
ウェーブガイドを有するオプトエレクトロニク半導体装置であって、この半導体装置は珪素基板を有する半導体本体を具え、この珪素基板上に、酸化珪素を有する材料より成り溝を有する第1層と、前記の溝の区域で前記のウェーブガイドを形成する放射案内材料の第2層とがこの順序で設けられている当該オプトエレクトロニク半導体装置において、前記の溝と前記の第1層の一部分とが珪素基板の局部酸化により形成されていることを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02B 6/12
, H01L 33/00
