特許

J-GLOBAL ID：200903028037300427

高周波パッケ-ジと配線基板との接続構造

発明者： 築山 良男 ,  塩原 正人
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055878
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359443
出願日： 2002年03月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 高周波パッケ-ジを配線基板に接続する場合において、20GHz〜80GHzの広帯域の高周波信号であっても伝送特性を劣化させることなく、高周波伝送特性に優れた高周波パッケ-ジと配線基板との接続構造を提供すること。【解決手段】 高周波パッケ-ジ10を構成する高周波伝送線路基板20の両主面11a、11bに形成されたグランド層22、23を接続する導体ビア24aと24bとの間隔と、高周波パッケ-ジ10が搭載される配線基板30の両主面31a、31bに形成されたグランド層34、35を接続する導体ビア36aと36bとの間隔とを、これら高周波伝送線路基板20と配線基板30との間における高周波伝送特性を高めるために、高周波伝送線路基板20の比誘電率と配線基板30の比誘電率とを考慮して設定する。

請求項（抜粋）：

高周波パッケ-ジを構成する高周波伝送線路基板の両主面に形成された第1のグランド層を接続する第1の導体ビア列の間隔と、前記高周波パッケ-ジが搭載される配線基板の両主面に形成された第2のグランド層を接続する第2の導体ビア列の間隔とが、これら高周波伝送線路基板と配線基板との間における高周波伝送特性を高めるために、前記高周波伝送線路基板の比誘電率と前記配線基板の比誘電率とを考慮して設定されていることを特徴とする高周波パッケ-ジと配線基板との接続構造。

IPC (2件)：

H05K 1/02 ,  H01L 23/12 301

FI (2件)：

H05K 1/02 P ,  H01L 23/12 301 Z

Fターム (8件)：

5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338CC02 ,  5E338CC06 ,  5E338CD01 ,  5E338CD12 ,  5E338CD25 ,  5E338EE11