特許
J-GLOBAL ID：200903028037908956
多層レジスト法によるパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211480
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104170
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】別々に開口したパターンについて、エッチングを同様に行うことによってそれぞれのパターンにおけるエッチングのバラツキを小さくしたパターン形成方法。【構成】パターンを形成すべき基板1上に、基板がわから順次下層レジスト2、第2の中間層32、第1の中間層31、第1の上層レジスト41を備える多層レジスト構造を形成し、第1の上層レジスト41をパターニングして、得られた第1の上層レジストパターン41aをマスクに第1の中間層31をパターニングし、第1の上層レジストパターンの除去後第2の上層レジスト42を形成し、第2の上層レジストをパターニングして、得られた第2の上層レジストパターン42aをマスクに第1の中間層31をパターニングする。以下順次このような工程を繰返すことによってa,b,c等のパターンを開口しエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
パターンを形成すべき基板上に、基板がわから順次下層レジスト、第2の中間層、第1の中間層、第1の上層レジストを備える多層レジスト構造を形成し、第1の上層レジストをパターニングして、得られた第1の上層レジストパターンをマスクに第1の中間層をパターニングし、第1の上層レジストパターンの除去後第2の上層レジストを形成し、第2の上層レジストをパターニングして、得られた第2の上層レジストパターンをマスクに第1の中間層をパターニングし、第2の上層レジストパターンの除去後パターニングされた第1の中間層をマスクにして第2の中間層をパターニングし、その後パターニングされた第2の中間層または第1及び第2の中間層をマスクに下層レジストをパターニングし、得られた下層レジストパターンをマスクにして基板をパターニングしてパターンを形成する多層レジスト法によるパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
