特許
J-GLOBAL ID:200903028050616190

セラミック基板のスルーホール導通方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 清路
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-353661
公開番号(公開出願番号):特開平5-167246
出願日: 1991年12月18日
公開日(公表日): 1993年07月02日
要約:
【要約】【目的】 個別部品搭載時のセラミック基板の真空吸着が容易で、薄膜プロセスにおけるレジスト塗布、剥離工程の作業性に優れ、更に信頼性に優れたセラミック基板のスルホール導通方法提供する。【構成】 スルーホール2を有する焼成済セラミック基板1の該スルーホール1内に、導体成分4及びバインダ成分を100重量部とする場合の該バインダ成分の含有量が10〜30重量部(又は加熱後の収縮率が70〜90%)である導体ペーストを充填し、酸化雰囲気中で加熱して上記バインダ成分を除去して上記導体成分を上記スルーホール2内に充填することにより、上記セラミック基板の表面上及び裏面上に形成された各回路パターンを接続することを特徴とする。
請求項(抜粋):
スルーホールを有する焼成済セラミック基板の該スルーホール内に、導体成分及びバインダ成分を100重量部とする場合の該バインダ成分の含有量が10〜30重量部である導体ペーストを充填し、酸化雰囲気中で加熱して上記バインダ成分を除去して上記導体成分を上記スルーホール内に充填することにより上記セラミック基板の表面上及び裏面上に形成された各回路パターンを接続することを特徴とするセラミック基板のスルホール導通方法。
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-091291
  • 特公昭59-022385
  • 特開平1-201020
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