特許
J-GLOBAL ID：200903028052195907
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234936
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 シリコン領域と金属配線とのコンタクトに関し,拡散障壁となる酸素を含有した厚い窒化チタン層を形成することを目的とする。【構成】 Si領域上にTiSi2 層4a,窒化チタン層3a,金属配線層6を順次積層したコンタクトの製造方法であって,Si領域上にチタン層3を堆積し,窒素雰囲気中でアニールしてチタン層3を窒化チタン層3aとする同時に,Si領域と該チタン層3との界面にチタンシリサイドの合金層4を形成し,酸素を含む窒素中でアニールして合金層4をTiSi2 層4aとすると同時に,窒化チタン層3aの表層に酸素を含む酸化層5を形成し,窒化チタン層3aを形成する様に構成し,及び,Si領域上に高酸素濃度層を含むチタン層を堆積し,窒素中でアニールしてチタン層を窒化して窒化チタン層を形成すると同時に合金層を形成し,窒素中でアニールし合金層をTiSi2 層とする様に構成する。
請求項（抜粋）：
シリコンからなる領域上にTiSi2 層(4a),窒化チタン層(3a)及び金属配線層(6)を順次積層して該シリコン領域と該金属配線層(6)との電気的接続をとるためのコンタクトを有する半導体装置の製造方法であって,該窒化チタン層(3a)の製造工程として,該領域上にチタン層(3)を堆積する工程と,窒素雰囲気中でアニールして,該チタン層(3)を窒化し窒化チタン層(3a)を形成すると同時に,該領域と該チタン層(3)との界面近傍にチタンとシリコンとの合金層(4)を形成する工程と,次いで,酸素を含む窒素雰囲気中でアニールして,該合金層(4)をTiSi2 層(4a)とすると同時に,該窒化チタン層(3a)の表層を酸素を含む窒化チタンからなる酸化層(5)とする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
