特許
J-GLOBAL ID：200903028061754340
半導体装置の金属層形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151490
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099170
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 グルービング現象の発生を防止した金属層形成方法を提供する。【構成】 半導体基板61を200〜400°Cの間の所定温度で一定時間の間維持させた後、前記半導体基板61上に真空中で200°C以下の低温で金属層69aを蒸着する。前記真空を破らず0.6Tm〜Tm(Tm=前記金属層を構成する金属の溶融点)の範囲の温度で前記金属層69aを中間熱処理して前記金属層69aの粒子をリフローさせてから、前記半導体基板61を真空中に放置して前記金属層69aを徐々に冷却させる。前記中間熱処理段階は接触口埋没後に遂行することもできるが、この場合には速やかに金属層69aを冷却させる。これにより、グルービング現象の発生が抑制され金属配線層の耐薬品性および耐腐食性が向上される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に真空中で低温で金属層を蒸着する段階と、前記金属層を前記真空を破らず溶融点以下の高温で熱処理して前記金属層の粒子をリフローさせる段階とを含む半導体装置の金属層形成方法において、前記金属層の形成方法は前記低温と前記高温との間の中間温度で前記半導体基板を一定時間維持し前記金属層の粒子の間のグルーブ形成を防止する中間熱処理段階を更に含むことを特徴とする半導体装置の金属層形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/768
