特許

J-GLOBAL ID：200903028063109883

半導体装置のフリップチップ実装方法

発明者： 吉田 亨 ,  大関 良雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182848
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007762
出願日： 2001年06月18日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】低コストでIC電極上に金バンプを形成し、これを高い信頼性で配線基板電極に超音波接続する半導体のフリップチップ実装方法を実現することにある。【解決手段】ICチップの素子形成面をフェースダウンで基板に実装する方法において、ICチップの電極として表面に凹凸を形成した金バンプを電気メッキにより形成し、このチップを超音波を用いて配線基板電極に接合する方法を採用した。

請求項（抜粋）：

ICチップの素子形成面をフェースダウンで配線基板に実装する方法において、ICチップの電極として表面に凹凸を形成した金バンプを電気メッキにより形成し、前記チップを超音波を用いて基板電極に接合することを特徴とする半導体装置のフリップチップ実装方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/32

FI (3件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/32 Z ,  H01L 21/92 604 B

Fターム (5件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB04 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ04