特許

J-GLOBAL ID：200903028064332250

半導体ウエハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法

発明者： 中島 純 ,  藤井 靖久 ,  片岡 真 ,  平井 健太郎 ,  福本 英樹 ,  熊谷 誠敏
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (1件)： 苗村 新一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258426
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069396
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの裏面加工において充分な保護性能を有し、且つ、半導体ウエハの反りを矯正し得る半導体ウエハ保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法を提供する。【解決手段】 厚みが50〜350μmである基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも3層からなる実質的に対称の層構造をなし、その表裏の最外層が貯蔵弾性率(E’)が1×105〜1×108Pa、厚みが10〜150μmである低弾性率フィルム、内層が貯蔵弾性率(E’)が2×108〜1×1010Pa、厚みが10〜150μmである高弾性率フィルムによりそれぞれ形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルム。

請求項（抜粋）：

厚みが50〜350μmである基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも3層からなる実質的に対称の層構造をなし、その表裏の最外層が貯蔵弾性率(E’)が1×105〜1×108Pa、厚みが10〜150μmである低弾性率フィルム、内層が貯蔵弾性率(E’)が2×108〜1×1010Pa、厚みが10〜150μmである高弾性率フィルムによりそれぞれ形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルム。

IPC (2件)：

C09J 7/02 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

C09J 7/02 Z ,  H01L 21/304 622 J

Fターム (6件)：

4J004AB01 ,  4J004CA04 ,  4J004CA06 ,  4J004CC03 ,  4J004FA04 ,  4J004FA05