特許
J-GLOBAL ID：200903028074153469
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232038
公開番号（公開出願番号）：特開平7-085676
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 大規模な構成変更を行わずに簡単にメモリ容量を変更し得る半導体記憶装置を提供することである。【構成】 ビット線に接続された複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイをアクセスするためのデコード手段と、前記ビット線に接続され前記メモリセルに保持されているデータを読出すデータ読出し手段と、前記メモリセルに対するデータの書込み及び前記ビット線のイコライズを行う書込み/イコライズ制御手段と、前記ビット線を前記メモリセルアレイ内で分離するビット線分離手段とを有する。
請求項（抜粋）：
ビット線に接続された複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイをアクセスするためのデコード手段と、前記ビット線に接続され前記メモリセルに保持されているデータを読出すデータ読出し手段と、前記メモリセルに対するデータの書込み及び前記ビット線のイコライズを行う書込み/イコライズ制御手段と、前記ビット線を前記メモリセルアレイ内で分離するビット線分離手段とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 301 E
, G11C 11/34 362 B
