特許
J-GLOBAL ID：200903028084218879

半導体装置及びその製造方法

発明者：
稲 葉 淳 悟

稲 葉 淳 悟 について

, 
井 上 大 那

井 上 大 那 について

, 
岡 嶋 睦

岡 嶋 睦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  山ノ井 傑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-216748
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049338
出願日： 2007年08月23日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】半導体装置のゲート加工用のマスク層に関する新たな提案を行う。【解決手段】基板上方に第1乃至第3のマスク層を堆積し、第3のマスク層を加工し、第2のマスク層を加工し、L/S部内及びL/S部外の第2のマスク層をスリミングし、L/S部内及びL/S部外の第3のマスク層を剥離し、L/S部内及びL/S部外の第2のマスク層の側壁にスペーサを形成し、L/S部外の第2のマスク層がレジストで覆われた状態でL/S部内の第2のマスク層をエッチングすることで、L/S部外の第2のマスク層を残存させつつL/S部内の第2のマスク層を除去し、L/S部内及びL/S部外のスペーサとL/S部外の第2のマスク層とをマスクとして、第1のマスク層をエッチングにより加工し、当該エッチングにより、L/S部内及びL/S部外のスペーサとL/S部外の第2のマスク層とが薄膜化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図1L
請求項（抜粋）：
L/S(ライン・アンド・スペース)部を有する半導体装置の製造方法であって、 基板の上方に第1のマスク層を堆積し、 前記第1のマスク層上に第2のマスク層を堆積し、 前記第2のマスク層上に第3のマスク層を堆積し、 前記第3のマスク層上にレジストを形成し、 前記レジストをマスクとして前記第3のマスク層を加工し、 前記第3のマスク層をマスクとして前記第2のマスク層を加工し、 前記L/S部内及び前記L/S部外の前記第2のマスク層をスリミングし、 前記L/S部内及び前記L/S部外の前記第3のマスク層を剥離し、 前記L/S部内及び前記L/S部外の前記第2のマスク層の側壁にスペーサを形成し、 前記L/S部外の前記第2のマスク層をレジストで覆い、 前記L/S部外の前記第2のマスク層が前記レジストで覆われた状態で前記L/S部内の前記第2のマスク層をエッチングすることで、前記L/S部外の前記第2のマスク層を残存させつつ前記L/S部内の前記第2のマスク層を除去し、 前記L/S部内及び前記L/S部外の前記スペーサと前記L/S部外の前記第2のマスク層とをマスクとして、前記第1のマスク層をエッチングにより加工し、当該エッチングにより、前記L/S部内及び前記L/S部外の前記スペーサと前記L/S部外の前記第2のマスク層とが薄膜化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/28
FI (5件)：
H01L21/88 C ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L21/28 E
Fターム (60件)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD71 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE08 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP43 ,  5F083EP44 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR10 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA05 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (1件)

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