特許

J-GLOBAL ID：200903028084705869

半導体集積回路装置

発明者： 竹之内 明
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234390
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】外部電源電圧が予め定められた電圧以上のときは外部電源電圧をそのまま内部電源電圧として内部回路に供給し、外部電源電圧が予め定められた電圧より低いときは昇圧して内部電源電圧を生成する内部電源回路に関し、広い外部電源電圧の範囲で内部回路を動作させることを目的とする。【構成】電圧検出回路11は半導体チップ外から印加される外部電源電圧VE が予め定められた基準電圧VR より低いかどうかを検出する。昇圧回路12は外部電源電圧VE が基準電圧VR より低いとき外部電源電圧VE を昇圧した昇圧電圧VSUを生成する。切り換え回路13は外部電源電圧VE が基準電圧VR より低いときは昇圧電圧VSUを内部電源電圧VI として半導体チップ内の各内部回路に供給し、外部電源電圧VE が基準電圧VR 以上のときは外部電源電圧VE を内部電源電圧VI として各内部回路に供給する。

請求項（抜粋）：

半導体チップ外から印加される外部電源電圧(VE )が予め定められた基準電圧(VR )より低いかどうかを検出する電圧検出回路(11)と、外部電源電圧(VE )が基準電圧(VR )より低いとき、外部電源電圧(VE)を昇圧した昇圧電圧(VSU)を生成する昇圧回路(12)と、外部電源電圧(VE )が基準電圧(VR )より低いときは昇圧電圧(VSU)を内部電源電圧(VI )として半導体チップ内の各内部回路に供給し、外部電源電圧(VE )が基準電圧(VR )以上のときは外部電源電圧(VE )を内部電源電圧(VI )として各内部回路に供給する切り換え回路(13)とからなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/10 481