特許

J-GLOBAL ID：200903028089387571

磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： 小田川 明弘 ,  松川 望 ,  杉田 康成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190984
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008105
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電界効果型の磁気抵抗素子とその好ましいデバイス構成例を提供する。【解決手段】磁化回転抑制層をつけて磁気抵抗素子を構成した第1の磁性体と磁気回転層に接していない第2の磁性体からなり、磁性体間を主としてバリスティック伝導を司る伝導体にて接続し、伝導体に電界印可あるいはキャリア誘起を促し、伝導性制御を行う。磁化回転層に接していない第2の磁性体を自由磁性体として磁気メモリやリコンフィギャラブル回路などに利用する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの磁性体のうち、磁化回転抑制層が接した第1磁性体と前記磁化回転抑制層に接していない第2磁性体とが少なくとも1つの伝導体を介して接しており、且つ前記伝導体を挟む2つの磁性体の磁化相対角の変化により抵抗が変化することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (29件)：

2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BB14 ,  5D034CA08 ,  5E049AA04 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA23 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA30 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40