薄膜基板のパターンカット構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川雅男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039293
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235556
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】薄膜基板のパターンカット構造に係り、特にセラミック等の基板に各層毎にパターンを有する多層の絶縁層が形成された薄膜基板を、当該絶縁層の表面層に形成されたパターンを設計変更,または修復等によってレーザ光を用いてカットする薄膜基板のパターンカット構造に関し、基板の表面にパターンニングされた絶縁層が形成された薄膜基板のパターンをカットする場合、レーザ光のエネルギ量に左右されることなくパターンカットが行われるようにすることを目的とする。【構成】その表面に多層の絶縁層2を有し、該絶縁層2の表面に形成されたパターン10を必要に応じてレーザ光にてカットする薄膜基板のパターンカット構造において、前記パターン10が形成された層L3の下層L2に、当該パターン10の形成位置に対応してレーザ光の反射率の高い、または吸収率の高いダミーパターン4を形成するよう構成する。

請求項（抜粋）：

その表面に多層の絶縁層(2)を有し、該絶縁層(2)の表面に形成されたパターン(10)を必要に応じてレーザ光にてカットする薄膜基板のパターンカット構造において、前記パターン(10)が形成された層(L3)の下層(L2)に、当該パターン(10)の形成位置に対応してレーザ光の反射率の高い、または吸収率の高いダミーパターン(4)を形成したことを特徴とする薄膜基板のパターンカット構造。

IPC (4件)：

H05K 3/46 , B23K 26/00 , B23K 26/18 , H05K 3/22

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