特許
J-GLOBAL ID：200903028095841128
位相シフトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262017
公開番号（公開出願番号）：特開平8-101494
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 位相シフトマスクについて、従来抑制することに力が注がれていた近接効果によるサブピークを逆に利用することによって、近接効果による悪影響を防ぎ、かつ一層微細な加工を可能とする。【構成】 ?@半遮光部11(例えばハーフトーンCr部)と、半遮光部11とは位相を異ならしめて(例えば180°反転)透過光を透過させるパターン形成用の2以上の光透過部10a〜10iとを備えた位相シフトマスクにおいて、2つの光透過部が干渉して光強度が高まる部分の光強度をパターン形成可能な光強度とする。?A4以上のホールパターン形成用光透過部と、その周囲の光透過部10とが互いに位相を異ならしめて光を透過させ、近接する4つのホールパターン形成用光透過部が干渉して光強度は高まる部分の光強度を、該光透過部が形成するホールパターンと同等のホールパターンを形成する光強度とする。
請求項（抜粋）：
半遮光部と、該半遮光部とは位相を異ならしめて透過光を透過させるパターン形成用の2以上の光透過部とを備えた位相シフトマスクにおいて、2つの光透過部が干渉して光強度が高まる部分の光強度をパターン形成可能な光強度としたことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
