特許
J-GLOBAL ID:200903028107036277

画像形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-218311
公開番号(公開出願番号):特開2000-047412
出願日: 1998年07月31日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【課題】負帯電用の画像形成装置を提供する。【解決手段】導電性基板2の上にa-Si:Hからなる電荷注入阻止層3および光導電層4を順次積層して、光導電層4の赤外線吸収スペクトルにおける波数2000cm-1での強度Iaと、波数2100cm-1での強度Ibとを0.22≦Ib/(Ia+Ib)≦0.35の関係式を満たすようにした感光体8、負電荷を付与するコロナ帯電器9、光波長ピーク520〜820nmの露光器10、現像機12、転写器14、クリーニング手段15、除電手段16とを配設した負帯電用画像形成装置7。
請求項(抜粋):
導電性基板上に水素化アモルファスシリコンからなる電荷注入阻止層および光導電層を順次積層した感光体と、該感光体の表面に電荷を付与する帯電手段と、感光体の帯電領域に対し光照射する露光手段とからなり、これら帯電手段と露光手段とにより感光体の表面に静電潜像を形成するとともに、該静電潜像に対応したトナー像を感光体の表面に形成する現像手段と、該トナー像を被転写材に転写する転写手段と、該転写後に感光体表面の残留トナーを除去するクリーニング手段と、該転写後に残余静電潜像を除去する除電手段とを配設した画像形成装置であって、前記光導電層に対する赤外線吸収スペクトルにおいて波数2000cm-1での強度Iaと、波数2100cm-1での強度Ibとが0.22≦Ib/(Ia+Ib)≦0.35の関係式を満たし、前記露光手段の照射光の波長ピークを520〜820nmにして、感光体表面を負帯電にしたことを特徴とする画像形成装置。
IPC (2件):
G03G 5/08 311 ,  G03G 5/08 331
FI (2件):
G03G 5/08 311 ,  G03G 5/08 331
Fターム (10件):
2H068DA05 ,  2H068DA23 ,  2H068DA37 ,  2H068DA57 ,  2H068EA24 ,  2H068EA25 ,  2H068EA34 ,  2H068EA36 ,  2H068FC03 ,  2H068FC05

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