特許

J-GLOBAL ID：200903028110891110

SOI基板の評価方法及び評価装置、半導体装置の製造方法

発明者： 梅澤 華織 ,  土屋 憲彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000215
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203956
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 結晶欠陥が支持基板又はその上の半導体層のどちらで発生しているかを評価でき、また貼り合わせSOI基板のどの領域に発生しているかが確認できるSOI基板の評価方法、評価装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 SOI基板表面の支持基板1及び結晶層2とが重なっている領域(測定点2)にX線ビームを所定の入射角度で入射させてそのX線回折強度分布をロッキングカーブ等から取得し、回折強度が強い入射角度を検出し、支持基板及び結晶層の一方の回折強度を示す入射角度θ1 又はθ2 を選択し、選択された入射角度θ1 又はθ2 とSOI基板の面内回転α及びあおり角度βの少なくとも一方の角度もしくは前記入射角度のみを調整して回折強度の最大強度を検知し、前記最大強度を示す角度にSOI基板を傾け、前記選択された入射角度θ1 又はθ2 において回折強度を示す支持基板又は結晶層のみを選択的にX線トポグラフィ撮影する。

請求項（抜粋）：

第1の単結晶からなる支持基板及びこの支持基板上に直接あるいは絶縁膜を介して形成された第2の単結晶からなる結晶層から構成されたSOI基板を評価する方法において、前記SOI基板の第1の単結晶のみ露出している第1の領域にX線ビームを所定の入射角度で入射させてそのX線回折強度分布をロッキングカーブもしくは画像から取得し、このロッキングカーブもしくは画像から前記第1の領域における回折強度が強い入射角度を検出するステップと、前記SOI基板の前記第1の単結晶からなる支持基板及び前記第2の単結晶からなる結晶層とが重なっている第2の領域にX線ビームを所定の入射角度で入射させてそのX線回折強度分布をロッキングカーブもしくは画像から取得し、このロッキングカーブもしくは画像から前記第2の領域の回折強度が強い入射角度を検出するステップと、前記第2の領域において、前記第1の単結晶からなる支持基板及び前記第2の単結晶からなる結晶層のいずれか一方の回折強度を示す入射角度θ1 又はθ2 を選択するステップと、前記選択された入射角度θ1 又はθ2 と前記SOI基板の面内回転α及びあおり角度βの少なくとも一方の角度、もしくは前記入射角度θ1 又はθ2 のみのいずれかを調整して回折強度の最大強度を検知するステップと、前記最大強度を示す角度に前記SOI基板を傾けて、前記選択された入射角度θ1 又はθ2 において回折強度を示す前記支持基板もしくは前記結晶層のみを選択的にX線トポグラフィ撮影するステップと、前記撮影されたX線トポグラフィから前記支持基板のみもしくは前記結晶層のみの結晶状態を評価するステップとを具備したことを特徴とするSOI基板の評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/207 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 23/207 ,  H01L 27/12 T

Fターム (16件)：

2G001AA01 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001DA09 ,  2G001GA01 ,  2G001GA13 ,  2G001HA01 ,  2G001KA03 ,  2G001KA08 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106CB19 ,  4M106DH25 ,  4M106DH34 ,  4M106DJ20